El nuevo V-NAND de Samsung de 1 TB hará que tu teléfono vuele

Los chips de 1 terabit V-NAND de Samsung Electronics se utilizarán para unidades comerciales de estado sólido en 2018. La firma sube el listón una vez más con su tecnología vertical 3D.

Hace poco más de cuatro años que Samsung presentó su primera memoria NAND con tecnología vertical 3D, y hoy aún podemos contarte que la firma sigue trabajando por mejorar lo presente y dar un paso más en su interesante oferta. De esta búsqueda incansable nace su primer V-NAND de 1 TB, que puede utilizarse en dispositivos que van desde smartphones a cámaras digitales y que se lanzará el año que viene.

Este módulo cuenta con una estructura de apilamiento vertical con una mayor densidad por tanto y dando como resultado mayor velocidad, seguridad hasta diez veces mayor y menos posibilidades de colapso. Al igual que con sus SSD de consumo de 256 gigabits, los nuevos chips de Samsung probablemente empezarán a colarse en las próximas generaciones de teléfonos que veas en los escaparates. La casa también ha confirmado que el chip permitirá apilar hasta 2 TB de capacidad en un único encapsulamiento V-NAND.

El gigante tecnológico surcoreano apilará 16Tb para un solo paquete V-NAND con capacidad de memoria de 2 terabytes (TB), dijo en la Cumbre de Memoria Flash en San Francisco.
El uso de los paquetes aumentará significativamente la capacidad de memoria de las unidades de estado sólido (SDD), dijo. Samsung también anunció SSD de factor de forma pequeño (NGSFF) de próxima generación para reemplazar el estándar M2 SSD actual.

La empresa está probando una SSD de 16 TB NGSFF. Mide 30,5 mm x 110 mm x 4,38 mm, lo que permite cuatro veces la capacidad de memoria de un chasis de 1U que utiliza M.2 o NGFF. Esto permitirá a los centros de datos utilizar el espacio mejor e hiper-escala, dijo.
La compañía dio un ejemplo de un sistema de servidor de referencia que entrega 576 TB en un bastidor 1U, utilizando 36 SSD NGSFF de 16 TB. El uso de bastidores 2U alcanzará la capacidad de petabyte.

El SSD NGSFF comenzará la producción en el cuarto trimestre del año y completará la estandarización JEDEC en el primer trimestre de 2018 para el despliegue.

Samsung también mostró el SZ985, un SSD que utiliza su tecnología Z-SSD para datacentres y sistemas empresariales con tareas extremadamente grandes y que requieren gran cantidad de datos, como análisis de datos en tiempo real y almacenamiento en caché de alto rendimiento. Tiene 15 microsegundos de tiempo de latencia de lectura, alrededor de un séptimo de un SSD NVME.

En el nivel de aplicación, "el uso de Z-SSD de Samsung puede reducir el tiempo de respuesta del sistema en hasta 12 veces, en comparación con el uso de SSD NVMe", añadió Samsung.
La compañía también introdujo una nueva tecnología llamada Valor clave SSD que, a diferencia de los procesos convencionales que convierte datos en bloques, asigna una clave a ubicaciones de datos específicos. Permite el direccionamiento directo de una ubicación de datos que reduce los pasos redundantes, lo que conduce a una entrada / salida más rápida ya costes reducidos.

El conglomerado está disfrutando de una demanda de todos los tiempos de su DRAM y NAND, que ayudó a triplicar las ganancias de su negocio de semiconductores para el segundo trimestre de este año .

En caso de que nos estés familiarizado con el negocio de semiconductores, te contamos que Samsung es el fabricante de chips más grande del mundo. Su negocio crece sin parar gracias a que los dispositivos, como teléfonos o cámaras, aumentan con cada generación su capacidad de memoria. El mes pasado, la firma abrió una nueva planta de semiconductores en su país natal, Corea del Sur, e incluye entre sus clientes a la mismísima Apple, además de una buena cantidad de fabricantes chinos -por no hablar de sus propios teléfonos, claro.

FUENTE : Samsung